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圖片信息
STGW8M120DF3圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：STGW8M120DF3
  • 原始制造廠商：ST，意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGW8M120DF3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：STGW8M120DF3
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：M
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：16A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：32A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，8A
  • 功率-最大值：167W
  • 開關(guān)能量：390μJ（開），370μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：32nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：20ns/126ns
  • 測試條件：600V，8A，33 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：103ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • STGW8M120DF3均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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