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圖片信息
ZXMN10A08DN8TC圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：ZXMN10A08DN8TC
  • 原始制造廠商：Diodes，美臺半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載ZXMN10A08DN8TC的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：ZXMN10A08DN8TC
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.6A
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：250 毫歐 @ 3.2A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA（最小）
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.7nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：405pF @ 50V
  • 功率-最大值：1.25W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
  • ZXMN10A08DN8TC均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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    Diodes產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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