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圖片信息
IRFSL17N20D圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):IRFSL17N20D
  • 原始制造廠商:IR,國際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IRFSL17N20D的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRFSL17N20D
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):170 毫歐 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.8W
  • 安裝類型:通孔
  • 產(chǎn)品封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-262
  • IRFSL17N20D均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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