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圖片信息
IRL6372PBF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IRL6372PBF
  • 原始制造廠商：IR，國際整流器
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列
  • 點擊此處下載IRL6372PBF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IRL6372PBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.1A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17.9 毫歐 @ 8.1A，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1020pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
  • IRL6372PBF均從IR代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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