深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IPB180N06S4H1ATMA2（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPB180N06S4H1ATMA2制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：180A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 100A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：270nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：21900pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：250W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PG-TO263-7-3IPB180N06S4H1ATMA2均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
