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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IPI100N04S4-H2（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IPI100N04S4-H2圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IPI100N04S4-H2
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IPI100N04S4-H2的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPI100N04S4-H2
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.7 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 70μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：7180pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：115W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
  • IPI100N04S4-H2均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Infineon產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - IPI100N04S4-H2 - Infineon公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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