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圖片信息
APT30M19JVFR圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APT30M19JVFR
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管模塊
  • 點擊此處下載APT30M19JVFR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APT30M19JVFR
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
  • 系列：POWER MOS V
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：130A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：975nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：21600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：700W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP
  • APT30M19JVFR均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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