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深圳市南皇電子有限公司長期提供APT45GP120B2DQ2G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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圖片信息
APT45GP120B2DQ2G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APT45GP120B2DQ2G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數(shù)：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • 產(chǎn)品應用分類：單路IGBT
  • 點擊此處下載APT45GP120B2DQ2G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APT45GP120B2DQ2G
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 類型：PT
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：113A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：170A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.9V @ 15V，45A
  • 功率 - 最大值：625W
  • Switching Energy：900μJ （開）， 905μJ （關）
  • 輸入類型：標準
  • Gate Charge：185nC
  • 25°C 時 Td（開/關）值：18ns/100ns
  • Test Condition：600V, 45A, 5 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr)：-
  • 封裝/外殼：TO-247-3 變式
  • 安裝類型：通孔
  • 供應商器件封裝：*
  • APT45GP120B2DQ2G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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