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圖片信息
APT75GP120B2G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APT75GP120B2G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  • 產品應用分類：單路IGBT
  • 點擊此處下載APT75GP120B2G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APT75GP120B2G
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 類型：PT
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.9V @ 15V，75A
  • 功率 - 最大值：1042W
  • Switching Energy：1620μJ （開）， 2500μJ （關）
  • 輸入類型：標準
  • Gate Charge：320nC
  • 25°C 時 Td（開/關）值：20ns/163ns
  • Test Condition：600V, 75A, 5 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr)：-
  • 封裝/外殼：TO-247-3 變式
  • 安裝類型：通孔
  • 供應商器件封裝：*
  • APT75GP120B2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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