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圖片信息
JAN2N6849U圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：JAN2N6849U
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載JAN2N6849U的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：JAN2N6849U
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：Military, MIL-PRF-19500/564
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：P 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.5A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：320 毫歐 @ 6.5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：34.8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：18-ULCC（9.14x7.49）
  • JAN2N6849U均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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