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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供PMDPB65UP,115（品牌: NXP）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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圖片信息
PMDPB65UP,115圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：PMDPB65UP,115
  • 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載PMDPB65UP,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：PMDPB65UP,115
  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3.5A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 1A，4.5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：380pF @ 10V
  • 功率-最大值：520mW
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：6-UDFN
  • PMDPB65UP,115均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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