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深圳市南皇電子有限公司長期提供PHD38N02LT（品牌: Nexperia）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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圖片信息
PHD38N02LT圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：PHD38N02LT
  • 原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET，MOSFET - 單-晶體管
  • 點(diǎn)擊此處下載PHD38N02LT的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Nexperia公司器件型號(hào)：PHD38N02LT,118
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
  • 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件狀態(tài)：在售
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源極電壓（Vdss）：20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：44.7A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：15.1nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：800pF @ 20V
  • Vgs（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：57.6W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 25A，5V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：DPAK
  • 封裝形式：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • PHD38N02LT的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：10000 PCS
  • PHD38N02LT均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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