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圖片信息
NGTB60N65FL2WG圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NGTB60N65FL2WG
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載NGTB60N65FL2WG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTB60N65FL2WG
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：場(chǎng)截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A
  • 功率-最大值：595W
  • 開關(guān)能量：1.59mJ（開），660μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：318nC
  • 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：117ns/265ns
  • 測(cè)試條件：400V，60A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：96ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • NGTB60N65FL2WG均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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