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圖片信息
RGT30NS65DGTL圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：RGT30NS65DGTL
  • 原始制造廠商：ROHM，羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 650V 30A 133W TO-263S
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載RGT30NS65DGTL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：RGT30NS65DGTL
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：133W
  • 開關(guān)能量：-
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：32nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：18ns/64ns
  • 測試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：55ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • RGT30NS65DGTL均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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