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圖片信息
HN3C10FUTE85LF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：HN3C10FUTE85LF
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
  • 點擊此處下載HN3C10FUTE85LF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：HN3C10FUTE85LF
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
  • 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • 晶體管類型：2 NPN（雙）
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：12V
  • 頻率-躍遷：7GHz
  • 噪聲系數(shù)（dB，不同f時的典型值）：1.1dB @ 1GHz
  • 增益：11.5dB
  • 功率-最大值：200mW
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：80mA
  • 工作溫度：-
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • HN3C10FUTE85LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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