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圖片信息
RN2911FE(TE85L,F)圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:RN2911FE(TE85L,F)
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • 產品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  • 點擊此處下載RN2911FE(TE85L,F)的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:RN2911FE(TE85L,F)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態(tài):有源
  • 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):-
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 頻率-躍遷:200MHz
  • 功率-最大值:100mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-563,SOT-666
  • RN2911FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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