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圖片信息
TP65H035WS圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：TP65H035WS
  • 原始制造廠商：Transphorm
  • 技術標準參數：GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
  • 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載TP65H035WS的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：TP65H035WS
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
  • 漏源電壓（Vdss）：650V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：46.5A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：41 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：TO-247-3
  • TP65H035WS均從Transphorm代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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