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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供TPH3206LDG-TR(品牌: Transphorm)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
TPH3206LDG-TR圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):TPH3206LDG-TR
  • 原始制造廠商:Transphorm
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載TPH3206LDG-TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):TPH3206LDG-TR
  • 制造商:Transphorm
  • 描述:GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):17A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):8V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):180 毫歐 @ 11A,8V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.6V @ 500μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):9.3nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 480V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):96W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:3-PQFN(8x8)
  • TPH3206LDG-TR均從Transphorm代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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