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圖片信息
SIA811DJ-T1-GE3圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SIA811DJ-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SIA811DJ-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SIA811DJ-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:LITTLE FOOT?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.5A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):94 毫歐 @ 2.8A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):355pF @ 10V
  • FET功能:肖特基二極管(隔離式)
  • 功率耗散(最大值):1.9W(Ta),6.5W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerPAK? SC-70-6 雙
  • SIA811DJ-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求

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