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圖片信息
SQJ951EP-T1_GE3圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：SQJ951EP-T1_GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載SQJ951EP-T1_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：SQJ951EP-T1_GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 個 P 溝道（雙）
  • FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30A
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 7.5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 10V
  • 功率-最大值：56W
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
  • SQJ951EP-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求

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