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Alliance Memory 今天宣布，它已通過具有片上 ECC 的新型 LPDDR4X 器件擴(kuò)展其高速 CMOS 移動(dòng)低功耗 SDRAM 產(chǎn)品。8Gb AS4C256M32MD4V-062BAN作為公司第四代 LPDDR4 SDRAM 的擴(kuò)展，在 200 球 FBGA 封裝中提供了約 50% 的額定功率，以實(shí)現(xiàn)更高的功率效率。

與 LPDDR4 SDRAM 的 1.1V 相比，今天發(fā)布的器件在 0.6V 的低電壓運(yùn)行下延長(zhǎng)了便攜式電子產(chǎn)品的電池壽命，適用于消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)市場(chǎng)，包括智能手機(jī)、智能揚(yáng)聲器和其他利用 AI 的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和 5G 技術(shù)。

LPDDR4X SDRAM 為嵌入式應(yīng)用中的高級(jí)音頻和超高分辨率視頻提供更高的效率，提供 1.6GHz 的快速時(shí)鐘速度，實(shí)現(xiàn) 3.2Gbps 的極高傳輸速率。對(duì)于汽車應(yīng)用（包括 ADAS 系統(tǒng)），符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備可在 -40°C 至 +105°C 的溫度范圍內(nèi)工作。

AS4C256M32MD4V-062BAN 被組織為每個(gè)器件兩個(gè)通道，各個(gè)通道由 8 個(gè) 16 位組組成。該組件提供完全同步的操作；可編程讀取和寫入突發(fā)長(zhǎng)度為 16、32 和動(dòng)態(tài)；和可選擇的輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。片上溫度傳感器控制自刷新率。

Alliance Memory 的 LPDDR4X SDRAM 為高帶寬、高性能存儲(chǔ)器系統(tǒng)應(yīng)用中的眾多類似解決方案提供了可靠的插入式、引腳對(duì)引腳兼容的替代品，無需進(jìn)行昂貴的重新設(shè)計(jì)和部件重新鑒定。

AS4C256M32MD4V-062BAN 的樣品和量產(chǎn)現(xiàn)已上市，供貨周期為 12 周。美國(guó)Alliance Memory代理商送貨的起價(jià)為 16 美元。