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據(jù)相關人士消息，ESMT公司將再建設包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠，據(jù)悉，DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產(chǎn)。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM／FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，所以需要定時刷新。由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機斷電才停止。每次讀寫操作都要刷新DRAM內(nèi)的電荷，因此DRAM設計為有規(guī)律的讀取其內(nèi)的內(nèi)容。

在全球的DRAM芯片市場上，韓國三星和海力士，美國的鎂光、英特爾、閃迪，日本的東芝六家廠商，壟斷了全球九成的產(chǎn)量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了八成的份額。DRAM芯片作為存儲芯片市場的主力，近年來，隨著存儲價格的走低，對整個市場影響很大，不管是上游制造商還是分銷商、客戶等，市場走低勢必影響投入，而ESMT公司本次的加大投入也預示著行業(yè)正在回暖，市場前景仍廣闊。