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Everspin 瞄準(zhǔn) MRAM 的利基市場

Everspin Technologies 希望,隨著其 MRAM 產(chǎn)量的增加,特定行業(yè)將更青睞價(jià)值而非每比特價(jià)格。

 

MRAM 先驅(qū)者剛剛發(fā)布了一份與 SMART Modular Technologies 聯(lián)合交付的 nvNITRO 解決方案的應(yīng)用白皮書。根據(jù) Pat Patla 的說法,兩家公司合作開發(fā)了 nvNITRO NVMe 存儲(chǔ)加速器,并專注于聯(lián)合開發(fā)多個(gè)垂直市場,首先是金融技術(shù) (FinTech) 領(lǐng)域,nvNITRO 可以增加數(shù)據(jù)吞吐量并減少關(guān)鍵存儲(chǔ)瓶頸,Everspin 營銷高級(jí)副總裁。

 

Patla 在接受 EE Times 的電話采訪時(shí)表示,nvNITRO NVMe 存儲(chǔ)加速器可以將金融交易的延遲減少 90%,這有助于金融科技公司滿足經(jīng)常需要同步日志記錄的合規(guī)性規(guī)則。這會(huì)增加延遲并造成事務(wù)處理瓶頸。如白皮書所述,nvNITRO 顯著降低延遲的能力使金融科技公司能夠更快地記錄交易,從而增加整體交易量,并最終增加收入。同時(shí),STT-MRAM 的持久性也有助于必要的合規(guī)性,因?yàn)樗袛?shù)據(jù)日志都受到保護(hù)。

 

隨著 Everspin 開始大規(guī)模生產(chǎn)其 STT-MRAM,垂直焦點(diǎn)隨之而來。EverSpin代理商在 2017 年第四季度實(shí)現(xiàn)了其首個(gè) 40nm 256Mb STT-MRAM 產(chǎn)品的收入記錄的一個(gè)顯著里程碑,并在 2018 年增加其量產(chǎn)。有少數(shù)公司在使用 MRAM,但 Everspin 是唯一一家商業(yè)化的公司提供分立和嵌入式 MRAM 產(chǎn)品,部分歸功于與 GlobalFoundries 的合作。

 

Everspin 將其 256Mb STT-MRAM 吹捧為首款進(jìn)入量產(chǎn)的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示,其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的設(shè)計(jì)盡可能接近標(biāo)準(zhǔn),因此客戶可以通過一些微小的更改輕松地將其集成到他們的系統(tǒng)中,主要是內(nèi)存控制器。Everspin 的 STT-MRAM 也符合 NVMe 標(biāo)準(zhǔn)。

 

Patla 承認(rèn),在制定標(biāo)準(zhǔn)之前,客戶會(huì)擔(dān)心獨(dú)家采購該技術(shù)!癉DDR5 是每個(gè)人都聚集的地方,”他說。

 

該公司通過提供接近 DRAM 的性能和非易失性,專注于需要快速、持久內(nèi)存的領(lǐng)域!伴W存在旋轉(zhuǎn)媒體旁邊提供了出色的性能,但與 DRAM 或 MRAM 相比,它的速度要慢得多,”Patla 說。他將自旋扭矩 MRAM 描述為一個(gè)三足凳,由性能、耐力和鉆頭空氣速率組成,具有非易失性。

 

文本

 

Everspin 的 MRAM 技術(shù)使用垂直 MTJ。該公司已開發(fā)出具有高垂直磁各向異性的材料和垂直 MTJ 堆疊設(shè)計(jì),可提供長數(shù)據(jù)保留、小單元尺寸、更大密度、高耐用性和低功耗。

除了看到采用 MRAM 價(jià)值的金融科技等特定垂直行業(yè),Patla 表示,Everspin 的目標(biāo)是三個(gè)領(lǐng)域:人工智能 (AI)、邊緣計(jì)算和數(shù)字化轉(zhuǎn)型,其中包括數(shù)據(jù)中心應(yīng)用。由于 MRAM 僅用戶在讀寫時(shí)供電,因此隨著數(shù)據(jù)中心外部處理需求的增加和物聯(lián)網(wǎng)部署的增長,它非常適合邊緣計(jì)算環(huán)境。

 

Patla 說,價(jià)格不是 MRAM 采用的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。相反,需要快速、持久內(nèi)存的特定應(yīng)用程序正在指導(dǎo)客戶的決策。“人們購買的依據(jù)是價(jià)值主張,而不是每 GB 的美元,”他說。 

 

Coughlin Associates 創(chuàng)始人 Thomas Coughlin 表示,目前 MRAM 的價(jià)格仍然很高,但它是最有趣的新興內(nèi)存技術(shù),因?yàn)樗男阅芙咏?SRAM 和 DRAM,而且它的耐用性非常高。Coughlin 說,MRAM 對(duì)緩存緩沖和特定應(yīng)用很有意義,例如用于金融應(yīng)用的 nvNITRO NVMe 存儲(chǔ)加速器。

 

“快速進(jìn)行交易很重要,但記錄也同樣重要,”Coughlin 說。“這是一個(gè)有趣的案例研究。時(shí)間就是金錢,他們賺的比花的多!

 

Coughlin 表示,專業(yè)的利基市場愿意為 MRAM 的速度和非易失性的結(jié)合買單。他指出,Everspin 的出貨量已經(jīng)超過 7000 萬臺(tái),它與 GlobalFoundries 的晶圓和嵌入式產(chǎn)品合作為增加產(chǎn)量提供了可能性。滿足吸引更多銷量的利基市場將有助于 Everspin 的 MRAM 變得更加主流!斑@就是 GlobalFoundries 產(chǎn)品的用武之地,”他說。

 

Coughlin 表示,三星和臺(tái)積電今年也將生產(chǎn) MRAM 產(chǎn)品,這增強(qiáng)了 MRAM 的有趣可能性!斑@讓我認(rèn)為人們普遍認(rèn)為 MRAM 占有一席之地,”他說。

 

隨著其他 MRAM 制造商的成熟,例如 Spin Transfer Technologies,競爭可能導(dǎo)致價(jià)格受到擠壓。Coughlin 表示,擁有多個(gè)供應(yīng)商會(huì)創(chuàng)造一個(gè)更有活力的市場,而 2018 年將是發(fā)展可行供應(yīng)鏈的重要一年。

 

MRAM 不會(huì)立即在任何應(yīng)用中取代 SRAM 和 DRAM,Coughlin,但這些存儲(chǔ)器和 NAND 閃存之間存在差距需要填補(bǔ)!3D Xpoint 正試圖填補(bǔ)這一空白,但與 DRAM 相距甚遠(yuǎn),”他說。同樣重要的是要記住,閃存需要幾十年才能與硬盤競爭,他補(bǔ)充說。

 

與此同時(shí),ReRAM 和 FRAM 作為填補(bǔ) DRAM 和閃存之間空白的新興存儲(chǔ)器都值得關(guān)注,Coughlin 說!斑@是一個(gè)名副其實(shí)的技術(shù)動(dòng)物園,我們將不得不拭目以待,看看哪些動(dòng)物在進(jìn)化過程中幸存下來,”他補(bǔ)充道。

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