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Everspin 推出了基于 MRAM 的 nvNITRO NVMe 存儲加速卡

本周,Everspin 推出 了基于 MRAM 的 nvNITRO NVMe 存儲加速卡系列 ,具有令人難以置信的性能規(guī)格:隨機(jī) 4Kbyte 混合 70/30 讀/寫操作的 IOPS 高達(dá) 146 萬次。在 IOPS 的世界中,這是非?斓。事實上,它比英特爾 P4800X Optane SSD 卡快大約 3 倍, 英特爾 P4800X Optane SSD 卡被指定為高達(dá) 500K IOPS,用于隨機(jī) 4Kbyte 混合 70/30 讀/寫操作。多種因素促成了 nvNITRO 存儲加速器的速度,包括 Everspin 的新型 1Gbit 自旋扭矩磁阻式 RAM  (ST-MRAM),具有高速、DDR4、SDRAM 兼容的 I/O;與 NVMe 1.1+ 兼容的高性能 MRAM 專用內(nèi)存控制器 IP 塊;和 Xilinx Kintex UltraScale KU060 FPGA 它實現(xiàn)了 MRAM 控制器和主板的 PCIe Gen3 x8 主機(jī)接口。Everspin 的 nvNITRO NVMe 卡將于 2017 年第四季度由EverSpin代理商發(fā)貨,容量為 1 GB 和 2 GB。

 

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