富士電機(jī)株式會社推出的“第2代分立式SiC-SBD※系列”功率半導(dǎo)體產(chǎn)品已開始上市發(fā)售,特此通知。該產(chǎn)品將有助于推動數(shù)據(jù)中心和通信基站等實(shí)現(xiàn)節(jié)電。
1.背景
隨著DX(數(shù)字化轉(zhuǎn)型)的啟動、遠(yuǎn)程辦公的日益普及以及互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)得到越來越廣泛的應(yīng)用,網(wǎng)絡(luò)通信量與日俱增,數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備投資加速。與此同時,電源設(shè)備的需求也在不斷増加,電源設(shè)備當(dāng)前的市場規(guī)模約為3,000億日元,預(yù)計(jì)到2028年度將會增長至約4,500億日元※。
數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)需要大量的直流電力,因此電源設(shè)備中一般配備有功率半導(dǎo)體(二極管),以便將電力公司供應(yīng)的交流電高效轉(zhuǎn)換(整流)為直流電。
功率半導(dǎo)體在通電時會產(chǎn)生電力損耗(恒定損耗)。此次,我們針對數(shù)據(jù)中心和通信基站等的電源設(shè)備,開發(fā)并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”產(chǎn)品,該產(chǎn)品可通過降低電路內(nèi)的恒定損耗來幫助設(shè)備實(shí)現(xiàn)節(jié)電。
我們將面向全球推廣該產(chǎn)品,希望通過推進(jìn)設(shè)備的節(jié)電為建設(shè)脫碳社會盡一份力。
2.產(chǎn)品特點(diǎn)
將電路板的厚度縮減至三分之一,實(shí)現(xiàn)低損耗
要想降低功率半導(dǎo)體的電力損耗,方法之一是將作為元件的電路板加工得更薄,以縮短電流的傳導(dǎo)距離。與本公司老款產(chǎn)品第1代SiC-SBD系列相比,本產(chǎn)品所配備的SiC(碳化硅)電路板的厚度已降至其三分之一左右,同時,通過調(diào)整芯片結(jié)構(gòu),使恒定損耗降低了16%※。我們運(yùn)用公司特有的加工技術(shù)降低電路板厚度,從而打造出行業(yè)最高水平的薄度。此外,該產(chǎn)品還提高了對雷擊引起的大電流的抵抗能力。這些對于提高其搭載設(shè)備的節(jié)能以及可靠性將會起到推動作用。
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