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海力士半導(dǎo)體公司（hynix ）今天宣布，將開始使用其領(lǐng)先的 0.10 微米工藝技術(shù)在其下一代 Golden Chip 平臺(tái)上開始批量生產(chǎn)。

使用其 0.10 微米金芯片工藝技術(shù)，海力士將主要專注于 512Mb DDR 和 512Mb DDR2 SDRAM 的生產(chǎn)，隨后將在 2003 年下半年推出 1Gb DDR2 SDRAM。海力士最初使用其 256Mb DDR SDRAM 來開發(fā)和評(píng)估其金芯平臺(tái)技術(shù)�！拔覀冾A(yù)計(jì) 0.10 微米工藝將占 2003 年海力士產(chǎn)量的近 20%，到 2004 年將達(dá)到 65%，”SK Hynix代理商海力士全球營(yíng)銷副總裁 Farhad Tabrizi 說。

海力士目前的大部分生產(chǎn)都在使用其 Prime Chip .13 微米平臺(tái)。通過有效利用現(xiàn)有設(shè)備，Golden Chip 技術(shù)允許以最少的資本支出額外投資量產(chǎn) 0.10 微米技術(shù)產(chǎn)品。該公司估計(jì)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，使用其 0.10 微米技術(shù)將減少 50% 的總體投資需求，與 0.13 微米 Prime Chip 技術(shù)相比，每片晶圓的裸片數(shù)量將增加 40%，從而保持海力士的競(jìng)爭(zhēng)力在成本和技術(shù)上的地位。