Insignis 的 DDR2 SDRAM 器件采用了其專有的擴(kuò)展測(cè)試流程,可確保在升高的結(jié)溫下工作。
Insignis 通過工業(yè)和擴(kuò)展測(cè)試的 DDR2 SDRAM 圖片NDB16P 是一款經(jīng)過 Insignis 專有的擴(kuò)展測(cè)試流程檢測(cè)的高速 CMOS DDR2 同步 DRAM,可減少早期故障,并具有確保工業(yè)用途的優(yōu)秀質(zhì)量和長期可靠性。這些器件設(shè)計(jì)符合 DDR2 DRAM 的關(guān)鍵特性,如公布的 CAS# 具有附加延遲、寫延遲 = 讀延遲 - 1 以及片內(nèi)端接 (ODT) 。
所有控制和地址輸入都與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入在差分時(shí)鐘的交叉點(diǎn)(CK 上升和 CK# 下降)被鎖定。所有 I/O 都以源同步方式與一對(duì)雙向選通(DQS 和 DQS#)信號(hào)同步。
以交錯(cuò)方式操作存儲(chǔ)體允許隨機(jī)訪問操作以比標(biāo)準(zhǔn) DRAM 可能更高的速率發(fā)生?蓡⒂米詣(dòng)預(yù)充電功能,以提供一個(gè)在猝發(fā)序列結(jié)束時(shí)激活的自定時(shí)行預(yù)充電。根據(jù)猝發(fā)長度、CAS 延遲和器件的速度等級(jí),可以實(shí)現(xiàn)順序和無間隙數(shù)據(jù)速率。
特性
Insignis 專有的擴(kuò)展測(cè)試流程提高了質(zhì)量,確保了在升高的結(jié)溫下正常運(yùn)行
JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)直接替代零件
提供符合 AECQ-100 的版本
提供 512 Mb、1 Gb 和 2 Gb 容量
工作溫度范圍
擴(kuò)展測(cè)試 (ET) :0°C 至 +85°C
工業(yè) (IT):-40°C 至 +95°C(最高可達(dá) 105°C)
差分時(shí)鐘 CK 和 /CK
雙向單/差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
符合 RoHS 規(guī)范
全同步工作
4 位預(yù)取架構(gòu)
可編程模式和擴(kuò)展模式寄存器
片內(nèi)端接 (ODT)
自動(dòng)刷新和自我刷新
預(yù)充電和主動(dòng)斷電
無鉛和無鹵素封裝
應(yīng)用
工業(yè)
工廠自動(dòng)化
游戲機(jī)
嵌入式控制板
工業(yè) PC
醫(yī)療
印刷
通信/監(jiān)控
遠(yuǎn)程/現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控設(shè)備
門禁系統(tǒng)/安防
相機(jī)
計(jì)量
汽車/運(yùn)輸
航空
鐵路
船舶
駕駛員信息系統(tǒng)
信息娛樂
電信/網(wǎng)絡(luò)
蜂窩天線
路由器和交換機(jī)
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)
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