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Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。

在產(chǎn)品LSIC1MO170E1000中已經(jīng)將該公司早前已發(fā)布的1200V SiC MOSFET和肖特基二極管運用到其中。Littelfuse公司表示，最終用戶將由此獲得更緊湊，更節(jié)能的系統(tǒng)并且將會降低使用的總體成本。

Littelfuse還表示，采用SiC MOSFET技術(shù)的高效率的特點為許多要求苛刻的應(yīng)用（電動和混合動力汽車（EV / HEV），數(shù)據(jù)中心和輔助電源）提供了多種優(yōu)勢。與類似額定硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）相比，LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可實現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)化，包括提高效率，增加功率密度，降低冷卻要求以及可能降低系統(tǒng)級成本。

據(jù)稱，與市場上其他業(yè)界領(lǐng)先的SiC MOSFET器件相比，該SiC MOSFET在所有方面都具有更好的性能。LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括：太陽能逆變器; 開關(guān)電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）; 電機驅(qū)動; 高壓DC / DC轉(zhuǎn)換器; 和感應(yīng)加熱。

“該產(chǎn)品可以改善現(xiàn)有應(yīng)用，Littelfuse所開發(fā)應(yīng)用可支持網(wǎng)絡(luò)，這可以在新的設(shè)計項目上有所幫助，”Littelfuse半導體業(yè)務(wù)部門Power Semiconductors全球產(chǎn)品營銷經(jīng)理Michael Ketterer說�！癝iC MOSFET為傳統(tǒng)的硅基功率晶體管器件提供了更優(yōu)的替代方案。與類似額定值的IGBT相比，MOSFET器件結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)更低的周期開關(guān)損耗和更高的輕載效率，“他補充道�！肮逃械牟牧咸匦栽试SSiC MOSFET在阻斷電壓、特定導通電阻和結(jié)電容方面超過其Si MOSFET對應(yīng)物�！�

新型1700V，1ΩSiCMOSFET具有以下優(yōu)點：

1、針對高頻，高效應(yīng)用進行了優(yōu)化;

2、極低的柵極電荷和輸出電容;

3、用于高頻開關(guān)的低柵極電阻。

LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用TO-247-3L封裝，管材數(shù)量為450。樣品要求可通過全球授權(quán)的Littelfuse經(jīng)銷商提供。

Littelfuse公司

力特公司位于美國伊利諾伊州芝加哥市，主要為客戶提供電路保護技術(shù)支持。包括保險絲，半導體，聚合物，陶瓷，繼電器和傳感器等。