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隨著場截止溝槽技術的引入，Micro Commercial Components 繼續(xù)在功率半導體市場擴展產(chǎn)品。第一個 IGBT 器件允許最大 650 V 和 1200 V 的電壓產(chǎn)生 40 A 的電流。其他電壓和電流值正在開發(fā)中。場截止溝槽技術可提供低傳導性（低 Vce (sat)）和低開關損耗（低 EOFF），并且由于正溫度系數(shù)而允許并聯(lián)。這些 IGBT 的典型應用是電機或可再生能源、UPS、焊接和感應加熱的逆變器所需的半橋或全橋拓撲。

特性

低 Vce(sat) 實現(xiàn)快速開關

Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)

堅固耐用，熱穩(wěn)定性好

非常嚴格的參數(shù)分配

無鹵素

環(huán)氧樹脂達到 UL 94 V-0 可燃性等級

無鉛表面、符合 RoHS 規(guī)范

應用

逆變器驅(qū)動

太陽能逆變器

UPS

焊接

感應加熱

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