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隨著場截止溝槽技術的引入，Micro Commercial Components 繼續(xù)在功率半導體市場擴展產品。第一個 IGBT 器件允許最大 650 V 和 1200 V 的電壓產生 40 A 的電流。其他電壓和電流值正在開發(fā)中。場截止溝槽技術可提供低傳導性（低 Vce (sat)）和低開關損耗（低 EOFF），并且由于正溫度系數而允許并聯。這些 IGBT 的典型應用是電機或可再生能源、UPS、焊接和感應加熱的逆變器所需的半橋或全橋拓撲。

特性

低 Vce(sat) 實現快速開關

Vce(sat) 具有正溫度系數

堅固耐用，熱穩(wěn)定性好

非常嚴格的參數分配

無鹵素

環(huán)氧樹脂達到 UL 94 V-0 可燃性等級

無鉛表面、符合 RoHS 規(guī)范

應用

逆變器驅動

太陽能逆變器

UPS

焊接

感應加熱

有關這些產品的更多信息，請聯系當地的MCC代理商進行詢問。