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氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (“IC”) 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas Semiconductor 宣布推出采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast™ 功率 IC。GaNSense 技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、自主的傳感和保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了 Navitas 業(yè)界領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)提高了 Navitas GaN IC 技術(shù)的節(jié)能和快速充電優(yōu)勢。

氮化鎵 (GaN ) 是一種下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，并且在尺寸和重量減半的情況下，功率提高了 3 倍，充電速度提高了 3 倍。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源和驅(qū)動(dòng)以及保護(hù)和控制，以提供簡單、小巧、快速和高效的性能。

GaNSense 技術(shù)集成了對包括電流和溫度在內(nèi)的系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確和快速傳感。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了正在申請專利的無損電流感應(yīng)功能，與前幾代產(chǎn)品相比，可將節(jié)能提高多達(dá) 10%，并進(jìn)一步減少外部組件數(shù)量并縮小系統(tǒng)占位面積。此外，如果 GaN IC 識(shí)別出潛在的危險(xiǎn)系統(tǒng)狀況，該 IC 旨在快速過渡到逐周期睡眠狀態(tài)，從而保護(hù)設(shè)備和周圍系統(tǒng)。GaNSense 還集成了自主待機(jī)功耗功能，可在 GaN IC 處于空閑模式時(shí)自動(dòng)降低待機(jī)功耗，有助于進(jìn)一步降低功耗，

憑借業(yè)界最嚴(yán)格的電流測量精度和 GaNFast 響應(yīng)時(shí)間，與之前的同類最佳解決方案相比，GaNSense 技術(shù)意味著將危險(xiǎn)的過電流尖峰減少 50%，并將“危險(xiǎn)區(qū)域”的時(shí)間減少 50%。GaNFast 單片集成提供可靠、無干擾的操作，沒有“振鈴”，從而提高了系統(tǒng)可靠性。

“從檢測到保護(hù)僅需 30 ns，GaNSense 技術(shù)比分立 GaN 實(shí)現(xiàn)快 600%，”Navitas 首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 說。“Navitas 的下一代提供了針對潛在系統(tǒng)故障模式的高度準(zhǔn)確和有效的防御。再加上對高達(dá) 800V 瞬態(tài)電壓的抗擾性以及嚴(yán)格的柵極波形控制和電壓調(diào)節(jié)，這只有通過我們專有的工藝設(shè)計(jì)套件才能實(shí)現(xiàn)，并且您在功率半導(dǎo)體的可靠性、穩(wěn)健性和性能方面有了新的標(biāo)準(zhǔn)。”

采用 GaNSense 技術(shù)的全新 GaN 功率 IC 系列涵蓋 10 款產(chǎn)品，它們都具有 GaN 功率、GaN 驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)的核心關(guān)鍵 GaNFast 集成。所有器件的額定電壓均為 650V/800V，具有 2kV ESD 保護(hù)，R DS(ON)范圍為 120 至 450 mOhms，采用 5×6 和 6×8 mm PQFN 封裝……具有 GaNSense 保護(hù)電路和無損電流感應(yīng)。該第 3代 GaN IC 系列針對現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，包括高頻準(zhǔn)諧振 (HFQR) 反激式、有源鉗位反激式 (ACF) 和 PFC 升壓，這些技術(shù)很受歡迎，可提供最快、最高效和最小的移動(dòng)和消費(fèi)市場中的充電器和適配器。

目標(biāo)市場包括智能手機(jī)和筆記本電腦的快速充電器，估計(jì) GaN 潛力為每年 2B 美元，以及另一個(gè)每年 2B 美元的消費(fèi)市場，包括一體機(jī) PC、電視和家庭網(wǎng)絡(luò)和自動(dòng)化。GaNSense 技術(shù)已用于聯(lián)想的YOGA 65W 筆記本電腦充電器。

迄今為止，已出貨超過 3000 萬個(gè) GaNFast 功率 IC，在現(xiàn)場實(shí)現(xiàn)了超過 1160 億個(gè)器件小時(shí) - 報(bào)告的 GaN 現(xiàn)場故障為零。與傳統(tǒng)硅芯片相比，出貨的每個(gè) GaNFast 功率 IC 的碳足跡減少了 4-10 倍，并減少了 4 公斤的 CO 2 。

采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 功率 IC 將在以下活動(dòng)中展示：

11 月 8 日：Navitas 首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 舉辦的 WiPDA 2021（虛擬）

11 月 11 日：CPSSC 2021（上海），應(yīng)用領(lǐng)域高級總監(jiān)黃秀成博士

11 月 18 日：Dan Kinzer 的 PSMA 電源技術(shù)路線圖（虛擬版）

采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 功率 IC 已投入量產(chǎn)，Navitas代理商可立即供貨。新 GaNSense 技術(shù)的完整技術(shù)細(xì)節(jié)，包括數(shù)據(jù)表、資格數(shù)據(jù)、應(yīng)用說明和樣品，可根據(jù) NDA 提供給客戶合作伙伴。