Sanken推出FMCA系列SiC肖特基勢壘二極管
利用 Sanken 的下一代功率半導(dǎo)體 SiC（碳化硅）能實現(xiàn)采用肖特基勢壘配置并具有 650 V 擊穿電壓的產(chǎn)品。
FMCA 系列二極管適用于連續(xù)電流模式 PFC 電路。 當(dāng)用擊穿電壓為 600 V 的快速恢復(fù)整流器二極管替換時，該器件能降低恢復(fù)電流造成的功率損耗。 因此，該器件的節(jié)能效果巨大。 此外，通過其快速切換能力還可實現(xiàn)設(shè)備小型化。
SiC 肖特基勢壘二極管有助于將電源損耗降至最低，如服務(wù)器的電源損耗，它會隨著大數(shù)據(jù)處理任務(wù)的增加而增大。 該器件還有助于減小電氣設(shè)備體積。
特性：
利用 SiC-SBD 的低恢復(fù)損耗特性提高電源能效
低電阻、高速開關(guān)式 SiC MOSFET 實現(xiàn)了一種緊湊的高能效電源
由于提升了高溫期間的電流，所以不會出現(xiàn)熱失控，進(jìn)而能保持開關(guān)性能穩(wěn)定
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)（2024年12月25日更新）
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