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模擬半導體設計創(chuàng)新領導者 Advanced Linear Devices Inc. (ALD) 今天宣布推出一款零柵極閾值電壓 EPAD P 溝道 MOSFET 陣列，推出業(yè)界首個精密亞閾值電路。MOSFET 目前具有業(yè)界最低的 0.2 伏 (V) 工作電壓和小于 1 納安 (nA) 的電流。這些芯片實現(xiàn)了能量收集和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 傳感器應用的下一代開發(fā)所需的工作區(qū)域。

ALD310700A/ALD310700 四通道零閾值 MOSFET 旨在開發(fā)利用 0.00V 零閾值電壓的小信號精密應用。該電路非常適合需要< +0.5V 電源的極低工作電壓的設計。有史以來第一次允許電路在亞閾值區(qū)域工作，將 MOSFET 的工作范圍擴大到前所未有的信號電平。

新的 MOSFET 簡化了電路偏置方案并減少了元件數(shù)量，同時為物聯(lián)網(wǎng)工程師提供了更高的傳感器應用精度和靈敏度。在匹配的傳感器應用中，P 溝道 MOSFET 可以與 ALD N 溝道零閾值 MOSFET 器件一起工作。ALD310700A/ALD310700 是流行的 ALD110800A/ALD110800 精密零閾值 N 通道器件的 P 通道版本。這兩個 MOSFET 系列共同提供互補的精度性能。這些互補的配對器件支持設計精度為 0.5% 的電流鏡、電流源以及參考電源或接地源的電路，包括差分放大器輸入級、傳輸門和多路復用器。

顯著的設備特點：

• 精密失調電壓(VOS)：最大2mV，最大10mV。

• 低于 0.2V 的最低工作電壓

• 低于 1nA 的超低最低工作電流

• 匹配和跟蹤溫度特性

“這些器件的工作功率比同類 MOSFET 陣列低 100 倍。更重要的是，它們支持下一代應用的功率水平和精度，這在以前是不可能的，”Advanced Linear Devices 總裁兼創(chuàng)始人 Robert Chao 說。“這些陣列為在需要匹配傳感器活動的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點上工作的電路設計人員提供了一種從超級電容器或深循環(huán)電池收集電力的方法。”

例如，一些潛在的能量收集源，例如僅產生 0.2V 的熱電發(fā)電機，產生的能量非常低，以至于它們幾乎不能用于驅動電子電路中的電源。ALD P 通道零閾值 (VGS(th)=0.00) EPAD MOSFET 陣列可與低壓升壓轉換器耦合，為低電平電源提供更大范圍的能量收集源。

該器件提供四通道版本，是 EPAD® 匹配對 MOSFET 系列的成員。零件可以從 ALD代理商 訂購，也可以直接從 ALD 訂購批量訂購的零件。100 件起價為 2.00 美元。